浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

滿足可靠需求 燃料電池測試系統嚴把關

2009 年 10 月 04 日

動力系統運作環環相扣 EV電池首重BMS設計

2012 年 03 月 15 日

提升運算密度/降功耗 AI引擎優化5G高效運算

2020 年 12 月 28 日

縮小系統體積/提升可靠度 電源供應器導入功率晶體達陣

2021 年 12 月 23 日

深度訓練提升CNN網路精度

2023 年 09 月 29 日

Hailo在樹莓派上實證LLM技術的語音識別

2025 年 04 月 29 日
前一篇
高階智慧手機訂單湧進 友達LTPS/OLED營收可期
下一篇
太克擴展高效能混合訊號示波器產品系列